મોલેક્યુલર બીમ એપિટેક્સી, અથવા એમબીઇ, ક્રિસ્ટલ સબસ્ટ્રેટ્સ પર સ્ફટિકોની ઉચ્ચ ગુણવત્તાવાળી પાતળા ફિલ્મો વધારવા માટે એક નવી તકનીક છે. અલ્ટ્રા-હાઇ વેક્યૂમ પરિસ્થિતિઓમાં, હીટિંગ સ્ટોવ દ્વારા, દરેક પ્રકારના જરૂરી ઘટકોથી સજ્જ છે અને વરાળ ઉત્પન્ન કરે છે, બીમ અણુ અથવા મોલેક્યુલર બીમ કોલિમેટિંગ પછી રચાયેલી છિદ્રો દ્વારા, એકલ સ્ફટિક સબસ્ટ્રેટના યોગ્ય તાપમાને સીધા ઈન્જેક્શન, પરમાણુ બીમને નિયંત્રિત કરીને તે જ સમયે સબસ્ટ્રેટ સ્કેનીંગ, તે ક્રિસ્ટલ ગોઠવણી સ્તરોમાં પરમાણુઓ અથવા અણુઓને સબસ્ટ્રેટ "ગ્રોથ" પર પાતળા ફિલ્મ બનાવવા માટે બનાવી શકે છે.

એમબીઇ સાધનોની સામાન્ય કામગીરી માટે, ઉચ્ચ શુદ્ધતા, લો પ્રેશર અને અલ્ટ્રા-ક્લીન લિક્વિડ નાઇટ્રોજનને સતત અને સ્થિર રીતે ઉપકરણના ઠંડકની ચેમ્બરમાં પરિવહન કરવું જરૂરી છે. સામાન્ય રીતે, એક ટાંકી જે પ્રવાહી નાઇટ્રોજન પ્રદાન કરે છે તેનું 0.3 એમપીએ અને 0.8 એમપીએ વચ્ચેનું આઉટપુટ પ્રેશર હોય છે. -196 at પર લિક્વિડ નાઇટ્રોજન પાઇપલાઇન પરિવહન દરમિયાન નાઇટ્રોજનમાં સરળતાથી બાષ્પીભવન થાય છે. એકવાર લગભગ 1: 700 ની ગેસ-પ્રવાહી ગુણોત્તરવાળા પ્રવાહી નાઇટ્રોજન પાઇપલાઇનમાં ગેસિફાઇડ થાય છે, તે પ્રવાહી નાઇટ્રોજન પ્રવાહની જગ્યાનો મોટો જથ્થો કબજે કરશે અને પ્રવાહી નાઇટ્રોજન પાઇપલાઇનના અંતમાં સામાન્ય પ્રવાહ ઘટાડશે. આ ઉપરાંત, પ્રવાહી નાઇટ્રોજન સ્ટોરેજ ટાંકીમાં, ત્યાં ભંગાર હોવાની સંભાવના છે જે સાફ ન થઈ હોય. પ્રવાહી નાઇટ્રોજન પાઇપલાઇનમાં, ભીની હવાનું અસ્તિત્વ પણ આઇસ સ્લેગની ઉત્પત્તિ તરફ દોરી જશે. જો આ અશુદ્ધિઓને ઉપકરણમાં વિસર્જિત કરવામાં આવે છે, તો તે ઉપકરણોને અણધારી નુકસાન પહોંચાડશે.

તેથી, આઉટડોર સ્ટોરેજ ટાંકીમાં પ્રવાહી નાઇટ્રોજન એમબીઇ સાધનોમાં ઉચ્ચ કાર્યક્ષમતા, સ્થિરતા અને સ્વચ્છ સાથે ધૂળ મુક્ત વર્કશોપમાં પરિવહન થાય છે, અને નીચા દબાણ, નાઇટ્રોજન, કોઈ અશુદ્ધિઓ, 24 કલાક અવિરત, આવા પરિવહન નિયંત્રણ સિસ્ટમ છે એક લાયક ઉત્પાદન.